图2MoS2经NaClO化学活化后边缘形态分析（a）NaClO化学活化后，制系MoS2边缘形态的AFM图像。

随着国内电视智能化的全面普及，统中作为电视互联网化的工具的智能盒子将更为弱化。今年以来，电磁的主智能盒子线上销量稳定在每月16万台-20万台量级，8月更是连续第6个月低于20万台。

除此之外，干扰通过配备摄像头盘活存量非智慧屏的智慧盒子、干扰聚焦差异化家庭娱乐功能的游戏盒子、搭载人工智能技术融入智能家居系统的语音盒子也开始兴起。随着国内消费升级，要源同时智能盒子市场的规范化，要源国内智能盒子的品质也在走向高端化、精品化，中高端的智能盒子市场份额不断提升，主攻中高端市场的当贝是TOP4品牌中唯一实现环比增长的厂商，销量环比增长22%。未来，制系更为细分、更为专业、差异化于电视传统功能的场景盒子才有机会获得一席之地。

零售额为0.4亿元，统中同比下降18.7%，环比增长6.1%。9月27日，电磁的主洛图科技（RUNTO）发布最新的智能盒子数据显示，2022年8月，中国智能盒子线上零售量为18.7万台，同比下降9.6%，环比增长6.3%

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要源Figure3超级电容器单电极的性能表征。相关研究论文：制系YifanLiu,TianruWu,YulingYin,XuefuZhang,QingkaiYu,DebraJ.Searles,FengDing,QinghongYuan,*XiaomingXie,*HowLowNucleationDensityofGrapheneonCuNiAlloyisAchieved,Sci.5,1700961,2018.DanxiaWang,YifanLiu,DeyanSun,QinghongYuan,*FengDing,ThermodynamicsandKineticsofGrapheneGrowthonNi(111)andtheOriginofTriangularShapedGrapheneIslands,Phys.Chem.C,2018,122(6),3334–3340,2018TianruWu,+XuefuZhang,+QinghongYuan,+JiachenXue,GuangyuanLu,ZhihongLiu,HuishanWang,HaominWang,FengDing,QingkaiYu,XiaomingXie*MianhengJiang,Fastgrowthofinch-sizedsingle-crystallinegraphenefromacontrolledsinglenucleusonCu–Nialloys,Mater.,15,43–47,2016.JiayunDai,+DanxiaWang,+MiaoZhang,TianchaoNiu,AngLi,MaoYe,ShanQiao,GuqiaoDing,XiaomingXie,YongqiangWang,PaulKChu,QinghongYuan,*ZengfengDi,*XiWang,FengDing,BorisIYakobson,HowgrapheneislandsareunidirectionallyalignedonGe(110)surface,NanoLett.,16,3160,2016.QinghongYuan,FengDing,HowaZigzagCarbonNanotubeGrowsChem.Int.Edit,54,6068,2015.QinghongYuan,BorisI.Yakobson,andFengDing,Edge-CatalystWettingandOrientationControlofGrapheneGrowthbyChemicalVaporDepositionGrowth,Phys.Chem.Lett.5,3093−3099,2014.QinghongYuan,FengDing,FormationofCarbyneandGraphyneonTransitionMetalSurfacesNanoscale,6,12727-12731,2014.QinghongYuan,ZhipingXu,BorisYakobson,FengDing,EfficientDefectHealinginCatalyticCarbonNanotubeGrowth,Rev.Lett.,108(24),245505,2012.QinghongYuan,+JunfengGao,+HaiboShu,+JijunZhao,XiaoshuangChen,FengDing,MagicCarbonClustersin(CVD)GrowthofGraphene,J. Am.Chem.Soc.,134(6),2970-2975,2012.QinghongYuan,HongHu,FengDing,ThresholdBarrierofCarbonNanotubeGrowth,Rev.Lett.,107(15),156101,2011.QinghongYuan,HongHu,JunfengGao,FengDing,ZhifengLiu,BorisYakobson,UprightStandingGrapheneFormationonSubstrates,J.Am.Chem.Soc.,133(40),16072-16079,2011.JunfengGao,+QinghongYuan,+HungHu,JijunZhao,FengDing,FormationofCarbonClustersintheInitialStageofChemicalVaporDepositionGrapheneGrowthonNi(111)Surface,J.Phys.Chem.C,115,17695,2011.本文由材料人生物学术组biotech供稿，制系材料牛审核整理。

(c)在800ºC温度下退火ZIF-8颗粒获得的样品的CV曲线：统中扫描速率为0.1mVs-1，扫描范围0-3V。图5在不同温度下退火ZIF-8颗粒获得样品的CV曲线(a)在600ºC温度下退火ZIF-8颗粒获得的样品的CV曲线：电磁的主扫描速率为0.1mVs-1，扫描范围0-3V。

图4在不同温度下退火ZIF-8颗粒获得样品的N1s谱图和吡啶-N、干扰吡咯-N和石墨-N的含量(a)在600ºC温度下退火ZIF-8颗粒获得样品的N1s谱图。研究发现，要源N掺杂构型的不同热稳定性使得N掺杂剂的含量可以利用退火温度来进行调节，而且N掺杂构型对纳米多孔碳的K离子存储容量有显著影响。